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J-GLOBAL ID：200903055798437814
半導体記憶装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994304040
Publication number (International publication number)：1996162538
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】 不良ビットを不良冗長メモリセルに置換することなく確実に救済することができ、かつ不良ビット救済効率の向上をはかり得る半導体記憶装置を提供すること。【構成】 XY方向にアレイ状に配設されるメモリセルアレイ19を有する半導体記憶装置において、Xアドレス及びYアドレスで定義されるメモリセルの内、不良ビットのメモリセルのXアドレスを記憶する不良ビットアドレスメモリ11と、外部アドレスバス13から入力されるアドレスと不良ビットアドレスメモリ11からのアドレスとを比較するアドレス比較器14と、この比較器14により外部アドレスバス13から不良ビットのアドレスに相当するXアドレスXe が入力されたと判断された時に、内部アドレスバス17にXe+m (mは正又は負の整数)を発生する内部アドレス演算器16とを備えたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
XY方向にアレイ状に配設されるメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、Xアドレス及びYアドレスで定義されるメモリセルのうち、不良ビットのメモリセルの少なくともXアドレスを記憶する手段と、外部から前記不良ビットのアドレスに相当するXアドレスXe が入力されるとき、内部アドレスとしてXe+m(mは正又は負の整数)を発生する手段とを具備してなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/82
, G11C 11/413
, G11C 29/00 301
, H01L 27/10 471
H01L 21/82 R
, G11C 11/34 341 A
