Pat

J-GLOBAL ID：200903055802916501

空間光変調素子及びその製造方法

Inventor： 滝本 昭雄 ,  朝山 純子 ,  秋山 浩二 ,  藏富 靖規 ,  小川 久仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344522
Publication number (International publication number)：1993173172
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 少なくとも光導電層、反射層及び強誘電性液晶層を備えた空間光変調素子であって、反射層が画素単位に分離して形成されており、且つ反射層の画素の間に遮光膜が形成されていることにより、入射光と出力光とのクロストークをほぼ完全に防止することができ、コントラストが高く且つ解像度の高い画像を記録し表示できる空間光変調素子を得る。【構成】 透明絶縁性基板11の上に、透明導電性電極12が形成され、その上にダイオード構造を有するアモルファスシリコン半導体等の光導電層13が積層される。その上には、反射層14及び配向膜16が、画素単位に微小な形状に分割され形成され、反射層14の画素の間には、同一平面状に遮光膜27が隙間無く形成される。

Claim (excerpt)：

少なくとも光導電層、反射層及び強誘電性液晶層を備えた空間光変調素子であって、前記反射層が画素単位に分離して形成されており、且つ前記反射層の画素の間に遮光膜が形成されていることを特徴とする空間光変調素子。