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J-GLOBAL ID：200903055808004695

フォトマスクの製造方法およびフォトマスク

Inventor： 行田 和博 ,  曽田 祐一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088271
Publication number (International publication number)：1994301194
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 フォトマスク上の異物の残存率を大幅に低減する。【構成】 マスク基板1aの主面に溝1bを形成した後、そのマスク基板1aの主面上に遮光用導体膜をその上面が略平坦となるような状態で堆積する。続いて、その遮光用導体膜を、異方性のドライエッチング法によってエッチバックすることにより、溝1b内のみに遮光膜パターン1cを形成する。

Claim (excerpt)：

マスク基板の主面に溝を形成する工程と、前記マスク基板の主面上に遮光用導体膜をその上面が略平坦となるような状態で堆積する工程と、前記遮光用導体膜を、前記溝内に遮光用導体膜が残るように除去する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027