磁気メモリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松山允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001361340
Publication number (International publication number)：2003163330
Application date： Nov. 27, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】層間のクロストークによる誤動作を解消しつつ高集積化が可能でしかも安価な超大容量の固体磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】第1の磁気抵抗効果素子(C2)と、その上に延設された第1の配線(W1)と、その上に設けられた第2の磁気抵抗効果素子(C1)と、その上において前記第1の配線と交差する方向に延設された第2の配線(B1)と、を備え、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子は略同一の磁化異方性を有する磁気記録層を有し、これら磁気記録層の磁化方向の少なくとも一部は前記第1及び第2の配線の少なくともいずれかに対して平行でも垂直でもない方向に傾斜してなる磁気メモリを提供する。

Claim (excerpt)：

第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子の上に延設された第1の配線と、前記第1の配線の上に設けられた第2の磁気抵抗効果素子と、前記第2の磁気抵抗効果素子の上において前記第1の配線と交差する方向に延設された第2の配線と、を備え、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子は略同一方向の磁化異方性を有する磁気記録層を有し、前記第1及び第2の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって前記第2の磁気抵抗効果素子の前記磁気記録層の磁化が反転可能とされ、前記第1及び第2の磁気抵抗効果素子の前記磁気記録層の磁化方向の少なくとも一部は前記第1及び第2の配線の少なくともいずれかに対して傾斜してなることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (4)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5F083FZ10 , 5F083GA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA03 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR22 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-026690 Applicant：ローム株式会社
磁気RAMセル内の内部非対称
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-026344 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気メモリとその駆動方法、およびこれを用いた磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-178745 Applicant：松下電器産業株式会社

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