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J-GLOBAL ID：200903055846812622

半導体製造方法

Inventor： 富永 之▲廣▼
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993277793
Publication number (International publication number)：1995106285
Application date： Oct. 08, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウエハを個々のチップに分割するに際して、ウエハの割れや欠けを防止することができる半導体製造方法を提供する。【構成】 一方の面にストリート2が形成されたウエハ1を個々のチップ5に分割するための半導体製造方法において、先ず、ストリート2に沿ってウエハ1の一方の面に所定深さの切溝3を形成し、次いで、ウエハ1の他方の面を研削して、先に形成した切溝3を境にウエハ1を個々のチップ5に分割する。

Claim (excerpt)：

一方の面にチップ間を仕切るストリートが形成されたウエハを個々のチップに分割するための半導体製造方法において、先ず、前記ストリートに沿って前記ウエハの一方の面に所定深さの切溝を形成し、次いで、前記ウエハの他方の面を研削して、前記切溝を境に前記ウエハを個々のチップに分割することを特徴とする半導体製造方法。

FI (4)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Y