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J-GLOBAL ID：200903055858284460

シリカ系中空粒子の製造方法およびシリカ系中空粒子分散体の製造方法

Inventor： 小林 薫平 ,  江利山 祐一
Applicant, Patent owner： JSR株式会社
Agent (2)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007090636
Publication number (International publication number)：2008247664
Application date： Mar. 30, 2007
Publication date： Oct. 16, 2008
Summary：

【課題】粒子径が小さく、かつ、外殻(シェル)層の厚みが小さいシリカ系中空粒子の製造方法および上記シリカ系中空粒子分散体の製造方法を提供する。【解決手段】シリカ系中空粒子の製造方法は、カチオン性基を有する重合体粒子にシリカ系被覆層を形成して複合粒子を得る工程、および前記複合粒子を加熱することによりカチオン性重合体粒子を分解する工程を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

カチオン性基を有する重合体粒子にシリカ系被覆層を形成して複合粒子を得る工程、および 前記複合粒子を加熱することによりカチオン性重合体粒子を分解する工程 を含む、シリカ系中空粒子の製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/18

FI (1)：

C01B33/18 Z

F-Term (18)：

4G072AA25 ,  4G072BB16 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072EE01 ,  4G072EE06 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ42 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR05 ,  4G072RR07 ,  4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-210228号
  
• 特開平4-302592号