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J-GLOBAL ID：200903055860108415

ダイヤモンド状炭素薄膜形成装置

Inventor： 伊藤 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069230
Publication number (International publication number)：1994256957
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Sep. 13, 1994
Summary：

【要約】【構成】 平行平板型高周波プラズマCVD装置において、動作圧力が50Pa以上、供給電力が3W/cm2 以下、で高品質ダイヤモンド状炭素薄膜を得るために、電極間隔を9mm以下とし、成膜を行う。

Claim (excerpt)：

平行平板型高周波プラズマCVD装置において、基板を配置した高周波給電電極と平行かつ並行に対向する接地電極との電極間距離を9mm以下の容量結合とし、グロー放電の動作圧力を50Paから100Paの範囲内の任意の値に数値限定したことを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜形成装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-267273
  
• 特開平1-294867
  
• 特開平2-267273
  

Cited by examiner (4)

• 特開平2-267273
  
• 特開平2-267273
  
• 特開平1-294867
  
• 特開平1-294867