半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134469
Publication number (International publication number)：1994350189
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】電流ブロック層が上側クラッド層の上に形成されているGaAsを基板とする半導体レーザにおいて、横方向の光閉じ込めを強める。【構成】 GaAsを基板1とし、活性層4のバンドギャップがGaAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおいて、GaAs基板1と反対側の主クラッド層5,6上にストライプ状電流通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成が零の場合を含む)の電流ブロック層7と、電流ブロック層7に挟まれたストライプ状電流通路領域の主クラッド層6上に形成されたGaAsの補助クラッド層8とを備えている。

Claim (excerpt)：

GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおいて、前記基板と反対側の主クラッド層上にストライプ状電流通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成が零の場合を含む)の電流ブロック層と、前記電流ブロック層に挟まれたストライプ状電流通路領域の前記主クラッド層上に形成されたGaAsの補助クラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

歪層量子井戸レーザを含む製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-318049 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
歪量子井戸半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349971 Applicant：古河電気工業株式会社
歪量子井戸半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070599 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社

Return to Previous Page