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J-GLOBAL ID：200903055861625634

プラズモン励起アシストエッチング

Inventor： 湯之上 隆 ,  水谷 巽
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268587
Publication number (International publication number)：1995122522
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】マイクロ波8を放電管9に導き、コイル13が作る磁場で高密度プラズマ22を発生させる。試料15に高周波印加装置19により高周波電圧を印加する。プラズマ中で発生したイオンが加速されて試料15に入射する。また、プラズマ中で発生したラジカル23も拡散によって試料15に入射する。このラジカルとイオンのアシスト反応によりエッチングが進む。ここで、SiO2 の体積プラズモン励起エネルギ25eVの整数倍の25,50,75eV,...の電子、または表面プラズモン励起エネルギ17.7eVの整数倍の88.4,106.1,123.7,141.4eV,...の電子、またはエネルギ80eVの電子を試料15に照射する。【効果】この電子により試料15表面にプラズモンが励起され、それに伴い大量の電子正孔対が発生する。この効果によって、エッチング反応が促進される。

Claim (excerpt)：

エッチングしようとする物質のプラズモン励起エネルギの整数倍のエネルギを有する電子を含む電子線をイオンまたは中性粒子と同時に照射することを特徴とするエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C01B 33/12 ,  C23F 4/00 ,  C23F 4/02 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 B