Pat

J-GLOBAL ID：200903055861697538

フォトレジスト用樹脂及びフォトレジスト組成物

Inventor： 今村 裕治
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003023844
Publication number (International publication number)：2004231858
Application date： Jan. 31, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】化学増幅型レジストとして、特にKrFエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、解像度、感度、耐熱性、プラズマエッチング耐性に優れ、矩形なフォトレジストパターンを再現性良く形成する特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。【解決手段】特定のフェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下で反応して得られるノボラック型フェノール樹脂中の水酸基の少なくとも一部を、酸の作用により脱離可能な基で保護したフォトレジスト用樹脂であって、フェノール類として、リモネンを出発原料とするテルペンジフェノール及びピロガロールを含有することが好ましい。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存在下で反応して得られるノボラック型フェノール樹脂中の水酸基の少なくとも一部を、酸の作用により脱離可能な基で保護したフォトレジスト用樹脂であって、前記フェノール類が、下記一般式(I)と(II)で表されるフェノール類をともに含有することを特徴とするフォトレジスト用樹脂。

IPC (3)：

C08G8/10 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (3)：

C08G8/10 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (33)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J033CA02 ,  4J033CA12 ,  4J033CA13 ,  4J033CA14 ,  4J033CA28 ,  4J033CA29 ,  4J033CA32 ,  4J033CA37 ,  4J033CA42 ,  4J033CA44 ,  4J033CB18 ,  4J033HA02 ,  4J033HA08 ,  4J033HA12 ,  4J033HA22 ,  4J033HA28 ,  4J033HB10