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J-GLOBAL ID：200903055865925691

AlN単結晶の製造方法

Inventor： 井上 茂 ,  亀井 一人
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003315653
Publication number (International publication number)：2005082439
Application date： Sep. 08, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】 比較的大きなAlN単結晶を簡易かつ低コストで製造し得るAlN単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 成分aがCr、Mn、Fe、Co、CuおよびNiから選択された1種以上の金属、成分bがSc、Ti、V、Y、ZrおよびNbから選択された1種以上の金属、成分cがAl、成分dがSiであるabcd系合金であって、成分aのモル濃度Ca、成分bのモル濃度Cb、成分cのモル濃度Ccおよび成分dのモル濃度Cdが、 0.01≦Cb/Ca≦0.1 、0.13≦Cd/Ca≦0.32、0.2 ≦Cc/(Ca+Cb)≦1の関係を満たす組成を有するabcd系合金の融液4を窒素雰囲気下で調製する。そして、窒素雰囲気下に保持したまま、このabcd系合金の融液4を冷却するか、および/またはそれから前記成分aとbの少なくともいずれかを蒸発させることによって、AlN単結晶をSiC単結晶基板2の上に晶出させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

成分aがCr、Mn、Fe、Co、CuおよびNiから選択された1種以上の金属、成分bがSc、Ti、V、Y、ZrおよびNbから選択された1種以上の金属、成分cがAl、成分dがSiであるabcd系合金であって、成分aのモル濃度Ca、成分bのモル濃度Cb、成分cのモル濃度Ccおよび成分dのモル濃度Cdが、 0.01≦Cb/Ca≦0.1 、0.13≦Cd/Ca≦0.32、0.2 ≦Cc/(Ca+Cb)≦1 の関係を満たす組成を有するabcd系合金の融液を窒素雰囲気下で調製し、窒素雰囲気を保持したまま、前記abcd系合金の融液を冷却するか、および/またはそれから前記成分aとbの少なくともいずれかを蒸発させることによって、AlN単結晶をSiC単結晶基板上にエピタキシャルに晶出させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B29/38 ,  C30B19/02

FI (2)：

C30B29/38 C ,  C30B19/02

F-Term (14)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077EA01 ,  4G077EA06 ,  4G077EC02 ,  4G077ED06 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71