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J-GLOBAL ID：200903055873713172
磁気メモリ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998367280
Publication number (International publication number)：2000195250
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】サブミクロンサイズのセル面積において安定に動作可能な強磁性トンネル接合を用いた不揮発性磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】各セルに電流を供給するためのビット線と一体に構成されている細線形状の強磁性金属層上に、複数個のメモリセルを配置する。メモリセルは、磁気記録層21、トンネル障壁層30、及び強磁性金属層12を備え、強磁性金属層12の一部に、該絶縁層に対向した自由磁化領域13を備える。また、自由磁化領域13は、その面積が強磁性金属層12よりも小さく、各セルの記録情報の読み出しは、強磁性金属層12中の磁壁移動によって行われる。従って、強磁性金属層12の端面の自己減磁磁界、及び層間静磁結合によって生じる不均一な磁化分布の影響を排除することが出来る。
Claim (excerpt)：
第一の強磁性層と、前記第一の強磁性層に絶縁障壁を介して対向した第二の強磁性層とを有する磁気メモリセルを備え、前記第一の強磁性層の磁化状態を、前記第二の強磁性層の磁化状態を変化させることにより得られるトンネルコンダクタンスの変化として検出する磁気メモリ装置において、前記第二の強磁性層は、前記絶縁障壁と接合する自由磁化領域、及び前記自由磁化領域に隣接する周辺部を備えることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
