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J-GLOBAL ID：200903055875287537

薄膜積層体、二次電池、及び薄膜積層体の製造方法

Inventor： 酒井 仁 ,  本田 和義 ,  稲葉 純一 ,  岡崎 禎之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002287604
Publication number (International publication number)：2004127613
Application date： Sep. 30, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】異なる材料からなる層の界面での密着性が改善された薄膜積層体及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1材料層12と第2材料層14とが積層された薄膜積層体10であって、前記第1材料層12及び前記第2材料層14の積層界面16において、前記第1材料層12及び前記第2材料層14のうちの一方が他方の層内に侵入した侵入構造18を備え、前記侵入構造18において、侵入材料層12が被侵入材料層14を積層方向に挟み込んでいる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1材料層と第2材料層とが積層された薄膜積層体であって、 前記第1材料層及び前記第2材料層の積層界面において、前記第1材料層及び前記第2材料層のうちの一方が他方の層内に侵入した侵入構造を備え、 前記侵入構造において、侵入材料層が被侵入材料層を積層方向に挟み込んでいることを特徴とする薄膜積層体。

IPC (3)：

H01M10/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

FI (3)：

H01M10/36 Z ,  C23C14/06 N ,  C23C14/24 G

F-Term (23)：

4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB14 ,  4K029DB21 ,  4K029HA03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ06 ,  5H029AK03 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ06 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ28 ,  5H029HJ02