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J-GLOBAL ID：200903055876641580

パターン形成方法及びパターン形成材料

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004248236
Publication number (International publication number)：2006065035
Application date： Aug. 27, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：
【解決手段】 現像後のフォトレジストパターン上に、水溶性のチタンを含有する膜を形成し、チタンを含有する材料をフォトレジストパターン表面に付着させ、フォトレジスト膜以外のチタンを含有する材料を除くことによってフォトレジストパターンの表面だけをチタン保護することを特徴とするパターン形成方法。【効果】 本発明によれば、ポジネガ反転を伴うことなく、またドライエッチングの回数を増やすことなく、高いアスペクトエッチングパターンを形成できる。また、本発明のレジストパターンハードマスクプロセスは、単層レジストとドライエッチングの回数は同じである。単層レジストプロセスにレジスト現像後の保護膜材料の塗布、ベーク、純水による剥離が追加されるが、特別な装置は必要なく、従来のトラックシステムをそのまま用いることができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
現像後のフォトレジストパターン上に水溶性チタン化合物を含有するパターン形成材料を塗布して、チタン化合物含有膜をフォトレジストパターン表面に付着させ、フォトレジストパターン以外の部分に存在する上記パターン形成材料を除くことによってフォトレジストパターンの表面だけをチタン化合物で保護することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570
F-Term (9)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA02 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA21 ,  2H096LA30 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (2)
  • ポジ型感光性組成物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-294822   Applicant：株式会社シンク・ラボラトリー
  • 特開昭62-297837

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