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J-GLOBAL ID：200903055882245300

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 小池 正好 ,  浅見 慎也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995086083
Publication number (International publication number)：1996264831
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】発光輝度を維持しつつ、発光ピーク波長を長波長側にする。【構成】発光層5を、アクセプター、ドナーをそれぞれ交互に添加して多層構造とし、アクセプター、ドナーそれぞれの添加量、および各層の層厚、および母材組成比によって発光波長を調節する。アクセプター、ドナーのクーロン力は平均として各層の中心間隔に相当する。従って混在させていた従来と比べて、実質的な原子間距離を長くし、クーロン力を小さくして長波長化できる。発光層5を多層化することで、層内に添加されるアクセプター、ドナーの原子間距離が大きく保てることになり、それぞれのアクセプター、ドナーに束縛された正孔、電子のクーロンエネルギーを小さく維持して、発光ピーク波長を約500nm にすることができる。発光層の母材は発光効率が高い高輝度な構成のままとでき、最大輝度は3000mcd が得られ、目的に見合った青色の発光素子ができる。

Claim (excerpt)：

アクセプタおよびドナーが添加された発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記発光層が、前記アクセプタだけを添加したA層と、前記ドナーだけを添加したD層とを交互に積層させた多層構造であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。