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J-GLOBAL ID：200903055883858250

窒素処理システム

Inventor： 広 直樹 ,  樂間 毅 ,  小泉 友人
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 雨笠 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001256267
Publication number (International publication number)：2003062577
Application date： Aug. 27, 2001
Publication date： Mar. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 希薄塩化物イオン条件下であっても、効率的に窒素化合物の除去を行うことができる窒素処理システムを提供する。【解決手段】 本発明は、アノード5とカソード6間に電圧を印加し、電解によって被処理水中の窒素化合物を処理する窒素処理システムであって、カソード6を構成する金属材料として、周期表の第Ib族又は第IIb族を含む導電体、若しくは、同族を導電体に被覆したものを用いると共に、このカソード6とアノード5間に印加する電圧を制御する制御装置12を設け、この制御装置12は、カソード6とアノード5間に印加する電圧を、所定の最大値と最小値の間で周期的に変化させ、且つ、印加電圧の最小値を少なくとも零よりも高い電圧とする。

Claim (excerpt)：

アノードとカソード間に電圧を印加し、電解によって被処理水中の窒素化合物を処理するシステムであって、前記カソードを構成する金属材料として、周期表の第Ib族又は第IIb族を含む導電体、若しくは、同族を導電体に被覆したものを用いると共に、該カソードと前記アノード間に印加する電圧を制御する制御装置を設け、該制御装置は、前記カソードとアノード間に印加する電圧を、所定の最大値と最小値の間で周期的に変化させ、且つ、前記印加電圧の最小値を少なくとも零よりも高い電圧とすることを特徴とする窒素処理システム。

FI (2)：

C02F 1/46 101 A ,  C02F 1/46 101 C

F-Term (19)：

4D061DA08 ,  4D061DB10 ,  4D061DB19 ,  4D061DC14 ,  4D061DC15 ,  4D061EA03 ,  4D061EA04 ,  4D061EB11 ,  4D061EB19 ,  4D061EB27 ,  4D061EB28 ,  4D061EB30 ,  4D061EB31 ,  4D061EB37 ,  4D061EB39 ,  4D061GA06 ,  4D061GA12 ,  4D061GC14 ,  4D061GC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 次亜塩素酸発生システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-256276   Applicant：三洋電機株式会社
• 特許第3495722号
  
• 特開昭54-128161
  
• 特開昭59-023888