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J-GLOBAL ID：200903055904877977

窒化物系化合物半導体結晶の成長方法

Inventor： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998053048
Publication number (International publication number)：1999246297
Application date： Mar. 05, 1998
Publication date： Sep. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】GaN等の窒化物系化合物のバルク結晶成長を行うに際し、原料粉末または多結晶の分解が起こりにくくし、効率よく高品質なバルク結晶を得ることを可能とする。【解決手段】少なくともIII 族金属元素と窒素元素とを原料に含む系から、一旦、窒化物系化合物半導体を合成し(工程A)、さらに、得られた窒化物系化合物半導体を原料にして、該窒化物系化合物半導体の単結晶を成長(工程C)する方法において、単結晶成長工程(工程C)に先立ち、原料となる窒化物系化合物半導体から水素を除去する工程(工程B)を含ませる。

Claim (excerpt)：

少なくともIII 族金属元素と窒素元素とを原料に含む系から、一旦、窒化物系化合物半導体を合成する工程と、この合成された窒化物系化合物半導体から水素を除去する工程と、この水素を除去して得られた窒化物系化合物半導体を原料にして、窒化物系化合物半導体の単結晶を成長する工程とを含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (5)：

C30B 23/02 ,  C30B 9/06 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (5)：

C30B 23/02 ,  C30B 9/06 ,  C30B 19/00 Z ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C