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J-GLOBAL ID：200903055908120471

CVD装置の反応ガス濃度制御方法

Inventor： 小泉 照幸
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993283827
Publication number (International publication number)：1995118862
Application date： Oct. 19, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バブリングと加熱方式を併用した反応ガス発生装置において、液体ソースLQ より所定の濃度の反応ガスGを発生させ、これを一定値に維持してCVD装置に供給する。【構成】 濃度制御部38を設け、加熱ヒーター32に対する供給電流iを制御して液体ソースLQ の温度を調整し、所定でかつ一定値の濃度KS の反応ガスGを発生する。【効果】 ウエハに形成される薄膜の品質向上に寄与する。

Claim (excerpt)：

密閉容器に満たされたTEOSなどの液体ソースを、加熱ヒーターにより所定の温度に加熱し、該加熱された液体ソースに対して窒素ガス,ヘリウムガス等の不活性ガスを、マスフローコントローラを通して噴射してバブリングし、該液体ソースが発生した反応ガスと前記窒素ガス等との混合ガスの流量QS ’を流量計により計測し、該流量QS ’と、流量設定回路に予め設定された所定量QS との差分(QS -QS ’ )信号を前記マスフローコントローラに入力して、前記窒素ガス等の噴射量Q1 を制御し、CVD装置に対して前記所定量QS の混合ガスを供給する反応ガス発生装置において、濃度算出回路と濃度設定回路および電流制御回路よりなる濃度制御部を設け、該濃度算出回路により、前記混合ガスの所定量QS のデータと、前記マスフローコントローラよりの前記窒素ガス等の噴射量Q1 のデータとにより、前記液体ソースが発生した反応ガスの濃度KS ’=(QS -Q1)/QS を算出し、該算出された濃度KS ’と、前記濃度設定回路に予め設定された所定の濃度KS との差分(KS -KS ’) を求め、該差分信号により、前記電流制御回路の前記加熱ヒーターに対する供給電流を制御して前記液体ソースの温度を調整し、該所定の濃度KS の反応ガスを発生して一定値に維持し、前記CVD装置に供給することを特徴とする、CVD装置の反応ガス濃度制御方法。

IPC (2)：

C23C 16/52 ,  C23C 16/44