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J-GLOBAL ID：200903055909464360
炭素薄膜形成装置および炭素薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993076265
Publication number (International publication number)：1994264247
Application date： Mar. 10, 1993
Publication date： Sep. 20, 1994
Summary：
【要約】目的【目的】 平行平板型のプラズマCVD装置を用いた硬質炭素薄膜の作製方法において、一定水準以上の膜質を得るための最適条件を得る。【構成】 高周波電源(7) に接続された高周波給電電極(2) と接地された接地電極(3) との間でプラズマ反応を起こし、高周波給電電極(2) 側に配置された基体(4) 上に硬質炭素薄膜を形成する際において、電極間距離(9) の値dと電極(2),(3) の面積Sとの比率を概略1/1963〜1/314 とすることによって、良好な膜質を得る。プラズマ反応時において高周波給電電極に加わる自己バイアスの値を接地電位に対して、-350〜-450Vの範囲として成膜を行うことによって、良好な膜質を有する硬質炭素薄膜を得る。
Claim (excerpt)：
高周波供給手段に接続された第1の平板電極と、該電極と平行に配置され接地電位に保たれた第2の平板電極とを有し、前記高周波供給手段より高周波電力を供給することにより、前記第1の電極と第2の電極間においてプラズマ反応を起こし、前記第1の電極に加わる自己バイアスを利用して前記第1の電極上に配置された基体上に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成装置であって、前記第1の電極と第2の電極とは、それぞれ直径rの円型を有し、前記第1の電極と第2の電極とは、電極間距離dを有して設けられており、前記電極間距離dは、前記電極の直径rの概略1/50〜1/20を有し、ていることを特徴とする炭素薄膜形成装置。
IPC (3)：
C23C 16/50
, C23C 16/26
, H05H 1/46
