Pat
J-GLOBAL ID:200903055911814700

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 内原 晋
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991161245
Publication number (International publication number):1993013638
Application date: Jul. 02, 1991
Publication date: Jan. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】多ピンの半導体装置のプリント基板への半田実装時に良好な半田付性をもった外部リードを提供する。しかも、200°C以下の低温半田付実装に適する。【構成】半導体装置の外部リード1の構成は、下地にスズ鉛合金めっき2を施し、その上にスズビスマス合金めっき3を施してあり、かつ、そのエリアは外部リード1の全域ではなく下地めっきよりも狭い一部分である。
Claim (excerpt):
外部リードの下地にスズめっきとスズ鉛合金めっきとのうちのいずれか一方のめっきを施し、その上に下地めっき範囲よりも狭い範囲のスズとビスマスを含有する合金めっきとスズとインジウムを含有する合金めっきとのうちのいずれか一方の合金めっきを施したことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭63-187654
  • 特公昭58-027357

Return to Previous Page