磁気トンネル接合センサ用の低モ-メント/高飽和保磁力ピン層

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999227028
Publication number (International publication number)：2000067418
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】高飽和保磁力磁性体を使用して逆平行(AP)ピンMTJセンサの磁化方向を固定する、改良型の磁気抵抗トンネル接合(MTJ)センサを提供すること。【解決手段】磁気トンネル接合(MTJ)装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または磁気ランダム・アクセス(MRAM)アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。このMTJ装置は、第1の強磁性層、第2の強磁性層、および第1の強磁性層と第2の強磁性層の間に配置された逆平行結合(APC)層を含む強磁性逆平行(AP)ピン層と;強磁性フリー層と;APピン層の第1の強磁性層と強磁性フリー層の間に配置された絶縁トンネル障壁層とを有する。

Claim (excerpt)：

逆平行(AP)ピン層と、強磁性体のフリー層と、トンネル障壁層とを含み、前記逆平行(AP)ピン層が、第1の飽和保磁力を有する磁性体から作られた第1の強磁性層と、前記第1の飽和保磁力よりも大きな絶対値の第2の飽和保磁力を有する磁性体から作られ、前記APピン層の磁化方向を固定する第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層の間に配置された逆平行結合(APC)層とを含み、前記トンネル障壁層が、前記第1の強磁性層と前記フリー層の間に配置される、磁気トンネル接合(MTJ)センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-057549 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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