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J-GLOBAL ID：200903055921086665

電界効果トランジスタ

Inventor： 舟木 正紀
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Agent (1)： 下田 容一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046015
Publication number (International publication number)：1993218431
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ゲート酸化膜を破壊することがなく、信頼性の高い電界効果トランジスタを提供すること。【構成】 絶縁層1上にシリコン(Si)に不純物を注入してなるソース領域2とドレイン領域3を形成し、これらソース領域2とドレイン領域3間を不純物が殆ど含まれないチャネル領域4とし、このチャネル領域4上にSiO2等のゲート酸化膜5を介してゲート領域6を設け、前記ソース領域2とドレイン領域3はその厚みがチャネル領域4の厚みよりも薄く、ソース領域2とドレイン領域3の上面がチャネル領域4の上面よりも下がった位置にある。

Claim (excerpt)：

絶縁体上にシリコン(Si)層を形成し、このシリコン層に不純物を注入してソース領域及びドレイン領域を形成した電界効果トランジスタにおいて、前記ドレイン領域の厚みをチャネル領域の厚みよりも薄くしたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12