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J-GLOBAL ID:200903055939166623

自立メソポーラスカーボン薄膜。

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008067013
Publication number (International publication number):2009221050
Application date: Mar. 17, 2008
Publication date: Oct. 01, 2009
Summary:
【課題】電極材料、電極触媒、センサー、吸着材料等として有用な、メソ細孔が膜面に対して垂直な方向に開口した規則的メソ多孔体構造を有する、新規な自立メソ多孔体カーボン薄膜を提供する。【解決手段】下記工程を組み合わせることにより得られ、メソ細孔が膜面に対して垂直な方向に開口した規則的メソ多孔体構造を有する自立メソポーラスカーボン薄膜。(i)界面活性剤と、熱硬化性樹脂前駆体とその架橋剤からなるカーボン前駆体との混合物を基板上に塗布しその薄膜を形成する工程(ii)該薄膜を、20〜25 °C、大気圧条件下で、乾燥する工程(iii)乾燥した薄膜を加熱してカーボン前駆体をポリマー化する工程(iv)ポリマー化された薄膜を焼成炭化する工程(v)焼成炭化されたカーボン薄膜を基板から剥離する工程(vi)剥離した自立カーボン薄膜を更に焼成炭化する工程【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記工程を組み合わせることにより得られ、メソ細孔が膜面に対して垂直な方向に開口した規則的メソ多孔体構造を有する自立メソ多孔体(メソポーラス)カーボン薄膜。 (i)界面活性剤と、熱硬化性樹脂前駆体とその架橋剤からなるカーボン前駆体との混合物を基板上に塗布しその薄膜を形成する工程 (ii)該薄膜を、15〜30°C、大気圧条件下で、乾燥する工程 (iii)乾燥した薄膜を加熱してカーボン前駆体をポリマー化する工程 (iv)ポリマー化された薄膜を焼成炭化する工程 (v)焼成炭化されたカーボン薄膜を基板から剥離する工程 (vi)剥離した自立カーボン薄膜を更に焼成炭化する工程
IPC (2):
C01B 31/02 ,  C01B 37/00
FI (2):
C01B31/02 101Z ,  C01B37/00
F-Term (27):
4G073BC02 ,  4G073BD18 ,  4G073CZ53 ,  4G073GA13 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC04B ,  4G146AC08B ,  4G146AC17B ,  4G146AD11 ,  4G146AD23 ,  4G146AD31 ,  4G146AD35 ,  4G146AD40 ,  4G146BA11 ,  4G146BA18 ,  4G146BB04 ,  4G146BB05 ,  4G146BB07 ,  4G146BC03 ,  4G146BC07 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146BC47
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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