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J-GLOBAL ID：200903055961828079

半導体製造装置における汚染物の洗浄方法

Inventor： 片岡 将和
Applicant, Patent owner： ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998191505
Publication number (International publication number)：2000036478
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 洗浄能力が比較的に高く、且つ、地球温暖化係数が低く、環境に優しい洗浄剤を用いた半導体製造装置の洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体製造装置における部品に付着した汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメータ(SP)が5〜15(cal/cm3 )0.5 であるヒドロフルオロカーボンエーテル(HFE)またはヒドロフルオロカーボン(HFC)を含む洗浄液に前記部品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。

Claim (excerpt)：

半導体製造装置における部品に付着した汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメータ(SP)が5〜15(cal/cm3 )0.5 であるヒドロフルオロカーボンエーテル(HFE)またはヒドロフルオロカーボン(HFC)を含む洗浄液に前記部品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 641 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/30

FI (4)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 641 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/30

F-Term (9)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC04 ,  4H003ED26 ,  4H003ED29 ,  4H003FA01 ,  4H003FA03 ,  4H003FA15 ,  4H003FA45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 洗浄剤および洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-337013   Applicant：株式会社東芝, 東芝シリコーン株式会社