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J-GLOBAL ID：200903055972828852

ダイヤモンド薄膜を使用した集積回路

Inventor： 西村 耕造 ,  小山 久 ,  小橋 宏司
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993111997
Publication number (International publication number)：1994326031
Application date： May. 14, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンドの特性を生かした集積回路を大面積の基板上に形成することができるダイヤモンド薄膜を使用した集積回路を提供する。【構成】 集積回路は、シリコン基板12上に気相合成法により選択的に形成したダイヤモンド薄膜13上に形成されたダイヤモンドデバイス部分と、シリコン基板12上のダイヤモンド薄膜13が形成されていない部分に形成されたシリコンデバイス部分とを有する。そして、前記ダイヤモンドデバイス部分とシリコンデバイス部分とが相互に電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に気相合成法により選択的に形成されたダイヤモンド薄膜上に形成されたダイヤモンドデバイス部分と、前記シリコン基板上のダイヤモンド薄膜が形成されていない部分に形成されたシリコンデバイス部分とを有し、前記ダイヤモンドデバイス部分とシリコンデバイス部分とを相互に電気的に接続して構成されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜を使用した集積回路。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/04