超電導磁石装置及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996019503
Publication number (International publication number)：1997190913
Application date： Jan. 10, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】広い開口を備え、磁場漏洩が少なく、かつ、高い磁場強度において広い均一磁場領域を得ることができ、さらに製造原価の低廉な超電導磁石装置を提供する。【解決手段】均一磁場領域(21)を挟んで等距離に対向して配置された2組の超電導コイル(40A〜42A,40B〜42B)を備えた超電導磁石装置において、その超電導コイル(40A〜42A,40B〜42B)の周囲に円板状強磁性体(43)及び円筒状強磁性体(44)を配置すると共に、対向する円筒状強磁性体(44)間に複数本の柱状強磁性体(45)を配置して、超電導コイルにより発生された外部磁束の帰路を構成する。

Claim (excerpt)：

超電導特性を有する物質から構成され、有限の領域に第1の方向に向かう均一磁場を発生させるための電流を流す磁場発生源と、該磁場発生源を超電導特性を示す温度にまで冷却し、維持するための冷却手段と、前記磁場発生源を支持するための支持手段とを具備する超電導磁石装置において、前記磁場発生源は前記均一磁場領域を挟んで前記第1の方向に沿ってほぼ等距離に対向して配置され、前記第1の方向を中心軸とする円に沿う第2の方向に電流を流す2組の磁場発生素子群から構成され、各磁場発生素子群は前記均一磁場の主成分を発生するために前記第2の方向に向かう電流を流す1個以上の第1の磁場発生素子と、前記均一磁場の均一度を改善するために前記第2の方向と同じ、又は逆向きの電流を流す1個以上の第2の磁場発生素子とから構成され、前記第2の磁場発生素子の直径は前記第1の磁場発生素子の外径よりも小さく、前記第2の磁場発生素子に流す電流量は前記第1の磁場発生素子に流す電流量よりも小さくし、前記冷却手段は前記磁場発生素子群を収納するほぼ円筒形の2組の冷却容器と該冷却容器間に配設された支持構造とからなり、前記磁場発生素子群の各々の周囲を包囲するように第1の強磁性体を配置し、該第1の強磁性体の各々が対向する空間内に1個以上の第2の強磁性体を配置したことを特徴とする超電導磁石装置。

IPC (3)：

H01F 6/00 ZAA , A61B 5/055 , H01F 7/20

FI (3)：

H01F 7/22 ZAA A , H01F 7/20 C , A61B 5/05 310

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特表平4-504067
電流リード装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232875 Applicant：株式会社東芝
特開平4-007808

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