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J-GLOBAL ID：200903055995143393

InGaAs電界効果型トランジスタ

Inventor： 三矢 伸司 ,  一井 朗
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105592
Publication number (International publication number)：1996306909
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 GaAs基板およびSi基板上に形成したInGaAsチャネル電界効果型トランジスタを構成を提供する。【構成】 このInGaAsチャネル電界効果型トランジスタは、GaAs基板またはSi基板上に、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSb層(0.3<y≦0.8)とIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層(0.2≦x≦0.9)とを順次形成し、少なくともInGaAs層と接する部分のAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSbの格子定数がIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層の格子定数と実質的に等しくなされる。【効果】 GaAs基板およびSi基板を用いて、高品質で任意の組成比のInGaAsチャネル層を形成でき、大きなΔEcが実現する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板またはSi基板と、該基板上に順次形成されたAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSb層(0.3<y≦0.8)とIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層(0.2≦x≦0.9)を少なくとも具備し、少なくとも前記In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層と接する部分のAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>AsSbの格子定数が、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層の格子定数と実質的に等しいことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812