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J-GLOBAL ID：200903055995386970

半導体昇圧回路

Inventor： 澤田 喜久三
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994104672
Publication number (International publication number)：1995298606
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板効果に起因した昇圧能力の低下を防止する。【構成】 トランジスタQ1 、Q3 、Q5 、Q7 、...、Q9 のゲート端子N2 、N4 、N6 、N8 、...、N11に、ブートストラップ回路BS1 、BS2 を通すことにより電源電圧Vddよりも大きな振幅を有するクロック信号φ2A又はφ2Bを入力し、基板効果によってしきい値が上昇することによる出力電圧の低下を抑制する。

Claim (excerpt)：

各段が、第1のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタのドレイン端子に一端が接続された第1のキャパシタと、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に一端が接続された第2のキャパシタとを備え、前記第1のMOSトランジスタが縦列接続されることによって各段が接続され、前記第1のキャパシタの他端に第1のクロック信号を入力する第1のクロック信号形成手段と、前記第2のキャパシタの他端に、電源電圧よりも大きい振幅を有する第2のクロック信号を入力する第2のクロック信号形成手段とを有することを特徴とする半導体昇圧回路。

IPC (4)：

H02M 3/07 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/04 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ブートストラップ発振器を備えたチャージポンプ型の電圧ブースタ回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-269566   Applicant：エスジェーエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム