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J-GLOBAL ID：200903056009650696
熱電変換素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009770
Publication number (International publication number)：1998209508
Application date： Jan. 22, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】発電効率の高い熱電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の熱電変換素子は、p型半導体部14と、このp型半導体部14と所定の間隔を隔てて配置されたn型半導体部15と、前記p型半導体部14及びn型半導体部15のそれぞれの一端を接続して設けられた第1の電極13と、前記p型半導体部14の他端に形成された第2の電極11と、前記n型半導体部15の他端に形成された第3の電極12とを具備し、前記p型及びn型半導体部を構成する微結晶が、それらを構成する半導体材料のキャリア拡散長以下の粒径を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
p型半導体部と、このp型半導体部と所定の間隔を隔てて配置されたn型半導体部と、前記p型半導体部及びn型半導体部のそれぞれの一端を接続して設けられた第1の電極と、前記p型半導体部の他端に形成された第2の電極と、前記n型半導体部の他端に形成された第3の電極とを具備し、前記p型及びn型半導体部を構成する微結晶が、それらを構成する半導体材料のキャリア拡散長以下の粒径を有することを特徴とする熱電変換素子。
IPC (4)：
H01L 35/32
, H01L 35/14
, H01L 35/26
, H01L 35/34
H01L 35/32 A
, H01L 35/14
, H01L 35/26
, H01L 35/34
