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J-GLOBAL ID：200903056010914451

半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置

Inventor： 池田 真朗
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000235602
Publication number (International publication number)：2002050589
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 手間と時間をかけずに効率よく確実に全てのへき開ラインについて半導体片へと分離できる半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置を提供すること。【解決手段】 へき開ライン26が形成された半導体ウェーハ21が貼り付けられる平らな半導体ウェーハ貼付面22aを有する延伸シート22を、半導体ウェーハ貼付面22aより外周側の部分で保持し、押圧手段27で半導体ウェーハ貼付面22aの裏面側から押圧力を与えて、この半導体ウェーハ貼付面22a全面を曲面状に膨出させて延伸させ、半導体ウェーハ21をへき開ライン26に沿って複数の半導体片21aに分離する。

Claim (excerpt)：

延伸シートに形成された平らな半導体ウェーハ貼付面に、へき開ラインが形成された半導体ウェーハを貼り付け、前記延伸シートを延伸させて前記半導体ウェーハを前記へき開ラインに沿って複数の半導体片に分離する半導体ウェーハの延伸分離方法において、前記延伸シートを、前記半導体ウェーハ貼付面より外周側の部分で保持し、前記半導体ウェーハ貼付面の裏面側から押圧力を与えてこの半導体ウェーハ貼付面全面を曲面状に膨出させて延伸させ、前記半導体ウェーハを前記へき開ラインに沿って複数の半導体片に分離することを特徴とする半導体ウェーハの延伸分離方法。