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J-GLOBAL ID：200903056014315080

半導体装置

Inventor： 武居 栄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992047154
Publication number (International publication number)：1993251455
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、バンプの高さが均一でかつ電気的特性の良好な半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、素子領域および配線14の形成された半導体基板11表面に突出するように絶縁性の突起部15を形成し、この突起部15を覆うと共に配線14に電気的に接続するようにバンプとしての金属膜17,18,19を形成している。

Claim (excerpt)：

素子領域および配線の形成された半導体基板表面に突出するように形成された絶縁性の突起部と、前記突起部を覆うと共に前記配線に電気的に接続されたバンプとしての金属膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/92 T ,  H01L 21/92 C