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J-GLOBAL ID：200903056017894537
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993019137
Publication number (International publication number)：1994053134
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】低温で形成した3層レジスト膜を用いて、微細なパターンを高歩留りで形成する。【構成】3層レジストの中間層に130°C以下の温度で形成したフッ素含有酸化珪素膜4を用いることにより、下層レジスト膜3の熱処理温度を低下させる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に被エッチング膜を形成したのち全面に有機膜とフッ素含有酸化珪素膜とを順次形成する工程と、前記フッ素含有酸化珪素膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記フッ素含有酸化珪素膜をマスクとしドライエッチング法により前記有機膜をエッチングする工程と、エッチングされた前記有機膜をマスクとしドライエッチング法により前記被エッチング膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
, H01L 21/302
Cited by examiner (6)
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