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J-GLOBAL ID：200903056024935044
磁界センサ、そんなセンサを具えた装置及びそんなセンサを製造する方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995526837
Publication number (International publication number)：1996511873
Application date： Apr. 06, 1995
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：
【要約】本発明は基板(20)上のブリッジ内に配設された積層された磁気抵抗素子(10,11,12及び13)から構成された磁界センサに関するものである。この磁気抵抗素子(10,11,12及び13)は1平面内で単軸の異方性を現し且つ非強磁性層(33)により分離される2個の強磁性層(32及び34)を具えている。このセンサの製造の間にこれらの強磁性層(32及び34)の磁化方向(23及び24)が二つの隣接する分枝内の2個の素子が外部磁界に対して逆の感度を現すように規定される。更にその上、各磁気抵抗素子において強磁性層(32)の磁化が他の強磁性層(34)の磁化方向にほぼ垂直に調節される。これらのステップの結果として、補助磁界がもはや小さい磁界の測定のために必要ないこと、このセンサが実質的にヒステリシスが無いこと、及びそれが強化された直線性を有することが達成される。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも4個の積層された磁気抵抗素子を有するホイートストンブリッジを具え、各素子は少なくとも3層で構成され、第1強磁性層、非磁性層及び第2強磁性層を順次に具えている、磁界センサににおいて、 磁気抵抗素子の各々が相互に平行方向に延在する1個以上のストリップ状部分を具えること、第1強磁性層が1平面において単軸の異方性を現し且つ第2強磁性層が1平面において単軸の又は単一方向の異方性を現し、第2強磁性層の磁化は第2強磁性層に設けられた反強磁性層との交換相互作用により決定されること、及びブリッジ回路の2個の隣接する分枝に配設された磁気抵抗素子が第2強磁性層のほぼ逆磁化方向を有することを特徴とする磁界センサ。
IPC (3)：
G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/08
G01R 33/06 R
, G11B 5/39
, H01L 43/08 M
, H01L 43/08 Z
Cited by examiner (8)
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