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J-GLOBAL ID：200903056025581246

逆浸透複合膜

Inventor：
蜂須賀 久雄

About 蜂須賀 久雄

, 
池田 健一

About 池田 健一


Applicant, Patent owner：
日東電工株式会社

About 日東電工株式会社


Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996224139
Publication number (International publication number)：1998066845
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 多孔性支持膜の表面に分離活性層を有する逆浸透複合膜において、pH6.0のときの前記分離活性層の表面ゼータ電位が、-15mV以上5mV以下の範囲であることにより、高塩阻止率、高透水性と高耐汚染性を伴せ有し、比較的低圧で実用性のある脱塩を可能にする逆浸透複合膜を提供する。【解決手段】 m-フェニレンジアミンとトリメシン酸クロライドとを界面重縮合反応させて得られた芳香族系ポリアミド膜の表面に、ケン化度99%のポリビニルアルコール(PVA)をイソプロピルアルコール(IPA)と水の3:7溶液に溶解させ、0.13重量%のPVA溶液とした溶液を逆浸透膜上にディッピング法により塗布し、130°Cで5分間乾燥して薄層を形成させ、分離活性層の表面ゼータ電位が、-15mV以上5mV以下の範囲の逆浸透複合膜を得る。
Claim (excerpt)：
多孔性支持膜の表面に分離活性層を有する逆浸透複合膜において、pH6.0のときの前記分離活性層の表面ゼータ電位が、-15mV以上5mV以下の範囲であることを特徴とする逆浸透複合膜。
IPC (4)：
B01D 69/02 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/38 ,  B01D 71/56
FI (4)：
B01D 69/02 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/38 ,  B01D 71/56
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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