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J-GLOBAL ID：200903056034547883

アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法

Inventor： 竹内 良昭 ,  高野 暁己 ,  円谷 信一 ,  森田 章二 ,  村田 正義
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104165
Publication number (International publication number)：1998294480
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 弱いグロー放電プラズマにおいても目的とする広い光学バンドギャップを有するp層用p型アモルファスシリコンカーボンの製造方法を供給することを目的とする。【解決手段】 i層にアモルファスシリコン系薄膜を含有するp-i-n接合型太陽電池の製造方法において、p層となるp型アモルファスシリコンカーバイドを作製するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を0.1〜0.3とすること特徴とする。

Claim (excerpt)：

i層にアモルファスシリコン系薄膜を含有するp-i-n接合型太陽電池の製造方法において、p層となるp型アモルファスシリコンカーバイドを作製するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を0.1〜0.3とすることを特徴とするアモルファスシリコン系太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 31/04 V ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-095677
  
• 特開昭63-137173
  
• 芳香族炭素源を用いて製造されたアモルフアス炭化ケイ素合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-164706   Applicant：鐘淵化学工業株式会社