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J-GLOBAL ID：200903056045004636

リチウム化電極製造方法、本方法により得られるリチウム化電極、ならびに、この使用

Inventor： サロ、ラファエル ,  ラフォルジュ、バンジャマン ,  ブーシェ、アンリ
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (5)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007523136
Publication number (International publication number)：2008508671
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Mar. 21, 2008
Summary：

本発明は、リチウム化電極の製造方法に関し: 基材上での、複数層の非リチウム化電極材料および複数層のリチウムの沈着であって、交互の非リチウム化電極材料層およびリチウム層からなり、1層の非リチウム化電極材料で始まり終わっている積層体を形成させるための沈着; こうして形成された積層体の熱アニール化を含む。 本発明は、本方法により得られるリチウム化電極、ならびに、本電極の使用にも関する。薄層リチウム電池の実現であり、特に、マイクロ電池の実現であり、チップカード、<<知能>>タグ、ホログラム物品、微細化通信機器、マイクロシステム;エレクトロクロミズム電池もしくは薄層超容量コンデンサーの実現である。

Claim (excerpt)：

リチウム化電極の製造方法であって: 基材上での、複数層の非リチウム化電極材料および複数層のリチウムの沈着であって、交互の非リチウム化電極材料層およびリチウム層からなり、非リチウム化電極材料層で始まり終わっている積層体を形成させるための沈着;ならびに こうして形成された多層の熱アニール化 を含む、方法。

IPC (1)：

H01M 4/04

FI (4)：

H01M4/02 108 ,  H01M4/02 109 ,  H01M4/02 113 ,  H01M4/02 112

F-Term (16)：

5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA02 ,  5H050CA05 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA11 ,  5H050CB01 ,  5H050CB11 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-086796   Applicant：松下電器産業株式会社
• リチウム二次電池用負極とその製造方法、およびその負極を用いてなるリチウム二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-117895   Applicant：三菱電線工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 薄膜の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-086796   Applicant：松下電器産業株式会社
• リチウム二次電池用負極とその製造方法、およびその負極を用いてなるリチウム二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-117895   Applicant：三菱電線工業株式会社