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J-GLOBAL ID：200903056073882339

高周波プラズマCVD装置

Inventor： 畠中 正信 ,  青木 祐介
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995187665
Publication number (International publication number)：1997017778
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 高周波プラズマCVD装置に関し、高膜質の平坦化絶縁膜を高速で形成するための電極構造を有する高周波プラズマCVD装置を提供する。【構成】 有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガスを含むガスを圧力100Torr以上の低真空反応室内で励起させ、有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガスを含むガスを気相中または基板表面で反応させて基板上に少なくとも10000以下の流動性を有する低分子量重合体を形成する高周波プラズマCVD装置であって、有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガスを含むガスを励起するための、10mm以下、好ましくは1mm〜5mmの間隔で対向させ、高周波電力を印加する1対の電極を備える。1対の電極の間をプラズマ状態のガスが通過する時間を制御して反応を調節するために、流速を制御する多孔板等のシャワー板を設ける。1対の電極の後段に、酸化性または還元性ガスを供給する手段を設ける。

Claim (excerpt)：

有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガスを含むガスを圧力100Torr以上の反応室内で励起させ、該有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガスを気相中または基板表面で反応させて該基板上に低分子量重合体を形成する高周波プラズマCVD装置であって、該有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガス含むガスを励起するための、10mm以下の間隔で対向させた1対の電極と、該1対の電極に、該1対の電極の間で該有機シランガスと、HおよびOH含有化合物ガス含むガスを励起するための高周波電力を印加する手段と、ガスを励起するための1対の電極に隣接した基板を載置するためのサセプタとを備えることを特徴とする高周波プラズマCVD装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H05H 1/46 M