Pat

J-GLOBAL ID：200903056080812966

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 矢元 久良 ,  山中 英雄 ,  小林 和好 ,  佐藤 勇一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999028064
Publication number (International publication number)：2000228518
Application date： Feb. 05, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 MOSトランジスタのソース、ドレイン領域の接合深さが0.1μm程度になると、拡散層の厚さが薄すぎるために、エッチングによりソース、ドレイン領域上に接続孔の形成したり、シリサイド化反応によりソース、ドレイン領域にシリサイド層を形成することは、リーク電流の増大により困難になる。【解決手段】 シリコン基板11に形成した半導体素子(MOSトランジスタ1)のシリコンからなる一構成部品(ソース領域、ドレイン領域)が形成されるpウエル領域13上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで単結晶シリコンを結晶成長させたシリコン層22(22s、22d)を設け、ソース領域17、ドレイン領域18を厚く形成したものである。

Claim (excerpt)：

基板に形成した半導体素子のシリコンからなる一構成部品上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで結晶成長させたシリコン層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/08 321 F

F-Term (50)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD55 ,  4M104DD85 ,  4M104FF14 ,  4M104GG10 ,  4M104HH04 ,  5F040DA00 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF01 ,  5F040EH02 ,  5F040EH07 ,  5F040FA03 ,  5F040FA07 ,  5F040FA12 ,  5F040FC00 ,  5F040FC05 ,  5F040FC19 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048DA21 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F053BB21 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG05 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053RR20