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J-GLOBAL ID：200903056086163781

半導体ウエハ及び半導体ウエハの製造方法

Inventor： 岡島 武彦
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994312834
Publication number (International publication number)：1996172062
Application date： Dec. 16, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 保護膜と機能配線との密着性を確保できる半導体ウエハ及びその製造方法を提供する。【構成】 機能配線50が形成された複数の半導体装置領域20が同一の基板30上に配置され、機能配線50を覆う状態で基板30上に成膜された保護膜40を除去してなるスクライブライン10を各半導体装置領域20間に配置してなる半導体ウエハ1において、スクライブライン10と機能配線50との間にスクライブライン10に沿って周縁パターン60を配置する。周縁パターン60は、機能配線50と同一プロセスで形成されたものである。保護膜40は第1〜第3保護膜41〜43の3層からなり、周縁パターン60は基板30から最上層の第3保護膜43の内部にまで達する。これによって、各保護膜40の端部に掛かる力が周縁パターン60で分断され、保護膜40の剥がれや割れが防止される。

Claim (excerpt)：

機能配線が形成された複数の半導体装置領域が同一基板上に配置され、前記機能配線を覆う状態で前記基板上に成膜された保護膜を除去してなるスクライブラインを当該各半導体装置領域を囲む状態で配置してなる半導体ウエハにおいて、前記スクライブラインと前記機能配線との間には、前記保護膜に埋め込まれる状態で前記基板にまで達する周縁パターンが当該スクライブラインに沿って配置されることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/88 C