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J-GLOBAL ID：200903056089505365
pinフォトダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993249761
Publication number (International publication number)：1995086631
Application date： Sep. 13, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 等価回路でみた内部抵抗値を小さくさせてpinダイオードの層構造に対してCR時定数を小さくさせ、フォトダイオードの応答を速くさせて高速動作を実現可能とする。【構成】 InP基板1上にn型不純物を含むInGaAs層2が形成され、このInGaAs層2上に導電性不純物を含まないInGaAs層3が形成され、このInGaAs層3上に高濃度のp型不純物を含むInGaAs層4が形成され、n+ InGaAs層2の上面に接続されたn型オーミック電極5と、p+ InGaAs層4の上面に接続されたp型オーミック電極6とを有し、このp型オーミック電極6がp+ InGaAs層4の上面領域の周囲に沿って閉ループを形成しかつこのp+ InGaAs層4上で閉ループの内部に向かって分岐を有する網状に配置されている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1の導電型を決める不純物を添加した第1の半導体層が形成され、前記第1の半導体層の一部に不純物を意図的に添加していない半導体層が形成され、前記半導体層上に第2の導電型を決める不純物を添加した第2の半導体層が形成され、前記第1の半導体層の上面に接続された第1の電極と前記第2の半導体層の上面に接続された第2の電極とから構成されたpinフォトダイオードにおいて、前記第2の電極が前記第2の半導体層の領域の周囲に沿って閉ループを形成しかつ前記第2の半導体層上で閉ループの内部に向かって分岐を有することを特徴とするpinフォトダイオード。
FI (2)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 H
