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J-GLOBAL ID：200903056090521110

光半導体素子の製造方法

Inventor： 北村 昌太郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991216027
Publication number (International publication number)：1993037092
Application date： Jul. 31, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光増幅用の半導体素子において、入射光の偏光に依存せず十分な利得を有し、かつ、利得のリップルが小さいことを可能にする。【構成】 半導体基板1上に、ストライプ状の空隙または間隔を有するマスクを形成する工程と、該半導体基板の露出した空隙部のみに、活性層3を含む半導体のリッヂをエピタキシャル成長する工程と、該リッヂを覆って半導体クラッド層4をエピタキシャル成長する工程とを少なくとも有する光半導体素子の製造方法において、該活性層3の層厚と該活性層3の幅を同程度とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、ストライプ状の空隙または間隔を有するマスクを形成する工程と、該半導体基板の露出した空隙部のみに、活性層を含む半導体のリッヂをエピタキシャル成長する工程と、該リッヂを覆って半導体クラッド層をエピタキシャル成長する工程とを少なくとも有する光半導体素子の製造方法であって、該活性層の層厚と該活性層の幅が同程度とすることを特徴とする光半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-144385
  
• 特開昭56-008890
  
• 特開平3-014280