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J-GLOBAL ID：200903056112349317

液晶表示装置

Inventor： 森 一成
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087139
Publication number (International publication number)：1993289103
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた液晶表示装置において、リーク電流を効果的に抑えることができ、かつLDDの長さのばらつきに起因する表示不良の発生を避けて、表示品質の良好な高精度のLDD構造を有するTFTを具備した液晶表示装置を提供する。【構成】 スイッチング動作を行なうp-Si(多結晶シリコン)TFT6を有するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、前記のp-SiTFT6が、ソース24とドレイン25との間に 2つのゲート22a、22bを有し、その直下のチャンネル部31a、31bの間に前記ソース24またはドレイン25の不純物の量よりも少量の不純物を含有するp-Siからなる接続領域30を具備することを特徴とする液晶表示装置である。

Claim (excerpt)：

アクティブ素子アレイ基板上に画素アレイと前記画素アレイに接続しスイッチング動作を行なう多結晶シリコン薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタが、ソースとドレインとの間に 2つのゲートを有するデュアルゲート型であって、前記 2つのゲートの直下のチャンネル部の間に前記ソースまたはドレインの不純物の量よりも少量の不純物を含有する多結晶シリコンからなる接続領域を具備することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-247619
  
• 特開平1-218070
  
• 特開平4-344618