Pat

J-GLOBAL ID：200903056114674770

角型ヒステリシスを示すファラデー回転子

Inventor： 平松 聖生 ,  石蔵 賢二 ,  白井 一志 ,  武田 憲夫
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996186192
Publication number (International publication number)：1998031112
Application date： Jul. 16, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【目的】 永久磁石が不要な光アイソレータを構成可能な、核形成磁界が非常に大きなビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を提供する。【解決手段】 液相エピタキシャル法で育成され、化学組成が Tb3-xHoXBiy Fe5-z-wGazAlw O12 (但し、0.40≦x≦0.70、1.30≦y≦1.55、 0.7≦(z+w)≦1.2 、 0≦w/z≦0.3 )で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を好ましくは 1,000 Oe 以上で磁化処理して角型ヒステリシスとする。【効果】 光アイソレータが使用される-40°C〜+70°Cの環境において、50 Oe の外部磁界が存在しても、飽和されたファラデー回転角が維持されるため、磁石不要の光アイソレータが構成できる。また、ファラデー回転係数が大きく、厚みが液相エピタキシャル法で容易に製造可能な厚み範囲に納まる。

Claim (excerpt)：

液相エピタキシャル法で育成されてなり、下記式(1) の化学組成で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を磁化処理してなる角型ヒステリシスを示すファラデー回転子。 Tb3-x-yHoxBiy Fe5-z-wGazAlw O12 (1)(式中、0.40≦x≦0.70、1.30≦y≦1.55、 0.7≦z+w≦1.2、 0≦w/z≦0.3)

IPC (3)：

G02B 5/30 ,  G01B 7/30 101 ,  G01B 11/26

FI (3)：

G02B 5/30 ,  G01B 7/30 101 A ,  G01B 11/26 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 非相反光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-251710   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• 低飽和磁界ビスマス置換鉄ガーネット単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213013   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• 光磁界センサ用ファラデー回転子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-055621   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社