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J-GLOBAL ID：200903056129295288

III族窒化物結晶およびIII族窒化物の結晶成長方法および半導体デバイスおよびシステム

Inventor：
岩田 浩和

About 岩田 浩和

, 
皿山 正二

About 皿山 正二


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003392203
Publication number (International publication number)：2004189590
Application date： Nov. 21, 2003
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】 多数の結晶で構成される結晶集合体が形成されて、混合融液の表面を覆う事をなくし、安定してIII族窒化物を結晶成長させる。【解決手段】 反応容器11内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液25を形成し、該混合融液25と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物30を結晶成長させるときに、混合融液25の昇温に合わせて窒素を含む物質の圧力を昇圧する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
反応容器内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、混合融液の昇温に合わせて窒素を含む物質の圧力を昇圧することを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (9)：
C30B29/38 ,  C30B9/06 ,  H01L21/338 ,  H01L27/14 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/108 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (7)：
C30B29/38 D ,  C30B9/06 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L31/10 C ,  H01L27/14 K ,  H01L29/80 H
F-Term (52)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077HA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA06 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118GA10 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA18 ,  5F041DB02 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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