光素子搭載部構造

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998259658
Publication number (International publication number)：2000091692
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】同一基板上に複数の光素子を搭載する場合であっても、基板裏面が一定温度になるように冷却することにより、搭載した光素子毎に温度を制御することを可能にする。【解決手段】基板1の上にクラッド層2を形成し、その上に、ヒーター15、絶縁層16、電極15及び半田膜6をこの順に積層した構造を有し、基板1上に形成した光導波路と基板1に搭載された半導体光素子7の出力光とが結合するように絶縁体層の高さを加工し、ヒーター15の直上に活性層9がくるように半導体光素子7をフリップチップボンディングし、ヒーター15に電流を流すことで、光素子活性層の温度を制御し、同一基板上に複数の光素子を搭載する場合であっても、基板裏面が一定温度になるように冷却することにより、搭載した光素子毎に温度を制御することが可能となる。

Claim (excerpt)：

光導波路部と光素子搭載部と電気配線部とが同一基板上に備えられた光素子実装基板であって、光素子搭載部には、基板より順に第1の絶縁体、ヒーター、第2の絶縁体が積層され、ヒーターの上面を覆うように電極と半田膜がこの順に積層され、半田膜と光素子が電気的に接続されると共に、電極とヒーターが光素子搭載部の外に電気的に配線されていることを特徴とする光素子搭載部構造。

F-Term (8)：

5F073AB06 , 5F073AB25 , 5F073AB28 , 5F073EA04 , 5F073FA07 , 5F073FA13 , 5F073FA23 , 5F073FA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ装置、その製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-036192 Applicant：日本電気株式会社
光/電子ハイブリッド実装基板およびその製法、並びに光サブモジュールおよび光/電子ハイブリッド集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187579 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-039185 Applicant：株式会社日立製作所

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