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J-GLOBAL ID：200903056155406861

窒化物半導体の結晶成長方法

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997178606
Publication number (International publication number)：1999026383
Application date： Jul. 03, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板上にGaN系半導体を高品質に形成することのできる窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板(11)上に厚さ500Å以下のダイヤモンド構造を有するダイヤモンドカーボンをバッファ層(12)として形成した後、このバッファ層上に高濃度にカーボンをドープしたGaNバッファ層(13)を更に形成し、このGaNバッファ層上にGaN系半導体(14)を形成する。特に原料ガスとしてメタンと窒素ガスとを用い、ホットフィラメントを有するガスノズルを用いて原料ガスを活性化することで高濃度にカーボンをドープしたGaNバッファ層を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に厚さ500Å以下のダイヤモンド構造を有するダイヤモンドカーボンをバッファ層として形成した後、このバッファ層上に高濃度にカーボンをドープしたGaNバッファ層を形成し、このGaNバッファ層上にGaN系半導体を形成することを特徴とする窒化物半導体の結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 33/00 C