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J-GLOBAL ID：200903056161524540
CCD撮像素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222923
Publication number (International publication number)：1993063177
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 CCD撮像素子の出力部を構成するソースフォロア回路の利得を向上し、CCD撮像素子の感度向上を図る。【構成】 電荷転送部1からの信号電荷を一旦フローティングディフージョン領域FDに蓄積し、その蓄積電荷に基づく電圧変化を駆動用MOSトランジスタ3と負荷用MOSトランジスタ4からなるソースフォロア回路5に供給することによって、ソースフォロア回路5の出力端子Toutから出力電圧Voutとして取出すようにした出力部を有するCCD撮像素子において、ソースフォロア回路5の駆動用MOSトランジスタ3及び負荷用MOSトランジスタ4を半導体基板11のウエル領域21及び22内に形成し、駆動用MOSトランジスタ3に対応するウエル領域21と負荷用MOSトランジスタ4に対応するウエル領域22の不純物濃度を互に異なるように設定して構成する。
Claim (excerpt)：
電荷転送部からの信号電荷を一旦フローディングディフージョンに蓄積し、その蓄積電荷に基づく電圧変化を駆動用トランジスタ素子と負荷用トランジスタ素子からなるソースフォロア回路に供給することによって、該ソースフォロア回路の出力端子から出力電圧として取出すようにした出力部を有するCCD撮像素子において、上記ソースフォロア回路の駆動用トランジスタ素子及び負荷用トランジスタ素子が半導体基板のウエル領域内に形成され、上記駆動用トランジスタ素子に対応するウエル領域と上記負荷用トランジスタ素子に対応するウエル領域の不純物濃度が互いに異なるように設定されて成るCCD撮像素子。
IPC (2)：
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