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J-GLOBAL ID：200903056199748204

化合物半導体エッチング方法、半導体装置の製造方法及びエッチング装置

Inventor： ▲高▼谷 信一郎 ,  紀川 健
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993311491
Publication number (International publication number)：1995161692
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】表面の汚染や欠陥準位の発生のない高精度の化合物半導体エッチング方法を提供すること。【構成】真空チャンバ内においたガリウムヒ素基板1等の化合物半導体を加熱し、酸化シリコン2のパターンをマスクとして、化合物半導体表面に原子状水素1を照射して、表面をエッチングする化合物半導体エッチング方法。【効果】原子状水素は、真空チャンバ内壁とほとんど反応しないため、チャンバ内壁から発生する汚染物質で、エッチングされた表面が汚染されることがない。

Claim (excerpt)：

化合物半導体を加熱し、該化合物半導体表面に原子状水素を照射して該表面をエッチングすることを特徴とする化合物半導体エッチング方法。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 P ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B