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J-GLOBAL ID:200903056214901243
導電性透明基材の製造方法
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994132255
Publication number (International publication number):1995335046
Application date: Jun. 14, 1994
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】 主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を利用した導電性透明基材であって、導電性の面からみた耐熱性がより向上したものを得ることができる導電性透明基材の製造方法を提供する。【構成】 本発明の導電性透明基材の製造方法は、酸化インジウムと酸化亜鉛とを含有する組成物からなる焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法により、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を透明基材上に形成するにあたり、前記透明導電膜の形成に先立って、不活性ガス雰囲気下で前記ターゲットをプラズマ処理することを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
酸化インジウムと酸化亜鉛とを含有する組成物からなる焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法により、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を透明基材上に形成するにあたり、前記透明導電膜の形成に先立って、不活性ガス雰囲気下で前記ターゲットをプラズマ処理することを特徴とする導電性透明基材の製造方法。
IPC (7):
H01B 13/00 503
, B01J 19/14
, C01G 15/00
, C23C 14/02
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, G02F 1/1343
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