化合物半導体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大西孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998100275
Publication number (International publication number)：1999284227
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【目的】量産性に優れた化合物半導体の製造方法とするとともに、比較的低温のアニールでよく、しかも再現性に優れた化合物半導体の製造方法とする。【構成】気相成長法により、P型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成する工程と、前記GaN系化合物半導体層の表面にGaN系化合物半導体層の成長温度より低い温度でIn又はInNの薄膜を形成する工程と、300°C以上800°C以下でかつO2 を含む雰囲気中でアニールする工程とを有している。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、P型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成する工程と、前記GaN系化合物半導体層の表面にGaN系化合物半導体層の成長温度より低い温度でIn又はInNの薄膜を形成する工程と、300°C以上800°C以下でかつO2 を含む雰囲気中でアニールする工程とを具備したことを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/225

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/225 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-070027 Applicant：シャープ株式会社
p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160886 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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